英飛凌igbt動態(tài)特性簡介

日期：2025-07-12 14:07

瀏覽次數(shù)：826

摘要：英飛凌igbt動態(tài)特性簡介動態(tài)特性又稱開關(guān)特性，IGBT的開關(guān)特性分為兩大部分：一是開關(guān)速度，主要指標是開關(guān)過程中各部分時間；另一個是開關(guān)過程中的損耗。英飛凌igbt的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。英飛凌igbt處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：： Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh 式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上...

英飛凌igbt動態(tài)特性簡介
動態(tài)特性又稱開關(guān)特性，IGBT的開關(guān)特性分為兩大部分：一是開關(guān)速度，主要指標是開關(guān)過程中各部分時間；另一個是開關(guān)過程中的損耗。

英飛凌igbt的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。英飛凌igbt處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：：

Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh

式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。

通態(tài)電流Ids 可用下式表示：

Ids=(1+Bpnp)Imos

式中Imos ——流過MOSFET 的電流。

由于N+ 區(qū)存在電導調(diào)制效應，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。

尊敬的客戶：

本公司還有igbt模塊、英飛凌模塊、三菱igbt等產(chǎn)品，您可以通過網(wǎng)頁撥打本公司的服務電話了解更多產(chǎn)品的詳細信息，至善至美的服務是我們的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠為您服務！

下一篇：英飛凌igbt模塊的安裝保存工作
上一篇： igbt阻斷與閂鎖

京公網(wǎng)安備 11010502035422號